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lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="c4"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style=""><span style="font-size: 14pt;" lang="ES">Para tratar de indicar cmo surgi la invencin de los dispositivos de <span class="GramE">carga &nbsp;acoplada</span> en 1969 por Boyle y George E. Smith, primero es necesario describir tres&nbsp; tecnologas importantes que se estaban siguiendo en ese momento. Las burbujas magnticas, el conjunto de diodos de silicio <span class="SpellE">vidicon</span> para el <span class="SpellE">Picturephone</span> y la tecnologa de semiconductores MOS, que fueron factores que contribuyeron a la invencin del dispositivo. Las burbujas magnticas se formaban colocando un material magntico especial, tpicamente granate, que es un grupo de silicatos minerales, en un campo magntico para que los dominios magnticos circulares se pudieran formar como se muestra en la figura 1.<u1:p></u1:p></span><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="c4"><span class="SpellE"><span class="c11"><span style="font-size: 14pt; font-weight: normal; font-style: normal;">Figura</span></span></span><span class="c11"><span style="font-size: 14pt; font-weight: normal; font-style: normal;"> 1<!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg-----------------------------------------------------------------------------------------> <o:p></o:p></span></span></p> <p style="text-align: center;" align="center"><b><i><span style="" lang="ES-TRAD"><img id="_x0000_i1032" src="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/1.png" alt="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/1.png" height="623" width="677"></span></i></b><o:p></o:p></p> <p class="c4"><span class="c01"><!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg-----------------------------------------------------------------------------------------><span style="font-size: 14pt;" lang="ES">&nbsp;</span></span><span class="c01"><span style="font-size: 14pt; font-style: normal;" lang="ES">Se deposit un patrn [1] de permalloy en la superficie que podra capturar el dominio y cuando se rota el campo magntico, que se aplic en el plano de la porcin, la burbuja se desplazar de un sitio a otro.</span></span><span class="c01"><span style="font-size: 14pt;" lang="ES"> <o:p></o:p></span></span></p> <p class="c4"><span class="c01"><span style="font-size: 14pt; font-style: normal;" lang="ES">El dibujo <span class="GramE">2 <span style="">&nbsp;</span>nos</span> muestra con ms detalle la construccin de esta memoria, la estructura del chip se muestra en la ilustracin. Un sustrato de vidrio admite la superposicin de sensores <span class="SpellE">magnetorresistivos</span> de <span class="SpellE">permalloy</span> fino, barras en T de <span class="SpellE">permalloy</span> gruesas y</span></span><span style="" lang="ES"> </span><span class="c01"><span style="font-size: 14pt; font-style: normal;" lang="ES">las lneas de conductores de cobre u oro, necesarias para el funcionamiento del chip de memoria. Un sustrato de granate no magntico <span class="SpellE">monocristalino</span> es compatible con la delgada capa de granate magntico <span class="SpellE">epitaxial</span> que contiene los dominios de burbujas. El chip se completa presionando los dos sustratos juntos mientras se mantiene un pequeo espacio entre la capa de propagacin de <span class="SpellE">permalloy</span> y la capa de granate <span class="SpellE">epitaxial</span>. <o:p></o:p></span></span></p> <p class="c4"><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Figura 2<o:p></o:p></span></p> <!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg-----------------------------------------------------------------------------------------> <p style="text-align: center;" align="center"><span lang="ES-TRAD"><img src="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/4.png"></span></p> <!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg-----------------------------------------------------------------------------------------> <p class="c4"><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p class="c4"><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p class="c4"><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p class="c4"><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p class="c4"><span class="c01"><span style="font-size: 14pt;" lang="ES">Con un dispositivo de entrada para inyectar la presencia o ausencia de burbujas que representan 0 o <span class="GramE">1 ,</span> se <span class="SpellE">utilizo</span> un dispositivo de deteccin al final, uno que tena un dispositivo de memoria en serie. La segunda tecnologa en la que trabaj en mi departamento, fue el tubo de la cmara de diodos de silicio, que se muestra en la Fig. 2. Esto fue desarrollado para <span class="SpellE">Picturephone</span>, que AT &amp; T, el padre de Bell <span class="SpellE">Labs</span> y el principal proveedor de telfonos <span class="GramE">del el tiempo</span>, el pensamiento sera un gran mercado una vez que la gente descubriera que podan ver y orse mutuamente a travs de las lneas telefnicas de par trenzado existentes. El dispositivo de imagen inicial considerado fue el vidicn comercial estndar con un recubrimiento de trisulfuro de antimonio sobre el vidrio al que se accedi mediante un haz de electrones como elemento fotosensible. Este dispositivo era famoso por su falta de robustez y longevidad. En cambio, estbamos trabajando en un tubo con una rebanada de silicio con millones de diodos colocados en la superficie, a los que se acceda mediante un haz de electrones de manera similar. El silicio fue una mejora; sin embargo, esperbamos encontrar un dispositivo de estado slido para eliminar el haz de electrones.</span></span><b><i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></i></b></p> <p class="MsoNormal"><i><span style="font-size: 14pt; color: black;" lang="ES"><span id="docs-internal-guid-5abd2cba-91cd-11db-0982-97a6f6629ea3">El tercer campo que se persigui vigorosamente fue la tecnologa de transistores de semiconductores de xido de metal (MOS). Esta era la tecnologa, que finalmente se convirti en la base de todos los circuitos integrados modernos. El condensador semiconductor de xido de metal que forma la compuerta del transistor MOS se muestra en la Fig. 3. Tambin se estaban llevando a cabo </span><span id="docs-internal-guid-5abd2cba-91cd-acaf-3ddb-2c5419839856">estudios bsicos de esta estructura en mi departamento. Para entender la atmsfera en el momento, uno debe mirar la estructura de la Divisin de Electrnica en los Laboratorios Bell que estaba bajo el <span class="GramE">Vicepresidente</span> Jack Morton. Esto se dividi en dos divisiones, una para dispositivos semiconductores y otra para todos los dems. Bill Boyle era el Director Ejecutivo de la parte de semiconductor y yo era un jefe de departamento debajo de l. Jack Morton estaba ansioso por acelerar el desarrollo de las burbujas magnticas como una &nbsp;</span></span></i><span style="" lang="ES"> <o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">tecnologa de memoria importante y se hablaba de transferir recursos de la divisin de Bill a la otra donde se estaba realizando el trabajo de la memoria de burbuja. Para que esto no suceda, Morton exigi que la divisin de Bill creara un dispositivo semiconductor para competir con las memorias de burbujas. Para abordar esta demanda, el 17 de octubre de 1969, Bill y yo nos reunimos en su oficina. En una discusin que no dur mucho ms de una hora, la estructura bsica del CCD se esboz en la pizarra, se definieron los principios de operacin y se desarrollaron algunas ideas preliminares sobre las aplicaciones. El tren de pensamiento evolucion de la siguiente manera. Primero, se necesita la analoga semiconductora de la burbuja magntica.&nbsp;</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-91ce-51d4-a181-5812ba6b4144"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p style="text-align: center;" align="center"><!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg-----------------------------------------------------------------------------------------><span style="" lang="ES-TRAD"><img id="_x0000_i1031" src="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/2.png" alt="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/2.png" height="621" width="908"></span><o:p></o:p></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-91ce-51d4-a181-5812ba6b4144"><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES"><!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg----------------------------------------------------------------------------------------->El dual elctrico es un paquete de carga. El siguiente problema es cmo almacenar esta carga en una regin confinada. La estructura que vino a la mente, por supuesto, fue el simple condensador MOS que se muestra en la Fig. 3. La carga se puede introducir en esta regin de agotamiento con la cantidad de carga almacenada que es la magnitud de la seal. Para comprender mejor esto, en la Fig. 4 se muestra un grfico de energa de electrones versus distancia a la estructura. A medida que se introduce la carga en la regin de agotamiento, el potencial en la superficie aumenta.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-91ce-51d4-a181-5812ba6b4144"><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">La estructura de MOS</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Una estructura MOS, que significa Metal-Oxide-Semiconductor, es un sistema electrnico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de xido (SiO2). Los elementos se contactan con dos terminales metlicas llamadas sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del sustrato, y la otra por un metal.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-a9a6-8756-fabb-137eeb90957d"><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">El diodo semiconductor de xido de metal o condensador MOS es una estructura importante, que se incorpora en la superficie de la mayora de los dispositivos semiconductores. Forma una parte esencial de un MOSFET que a su vez es un dispositivo importante utilizado en la integracin a gran escala. </span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Un enfoque fsico simple aplicado a la estructura MOS y un comportamiento del condensador MOS <span class="GramE">ideal ,</span> son necesarios . Luego, se analiza la distribucin de carga que establece en una estructura MOS cuando esta ltima est en cualquiera de los tres modos de <span class="GramE">polarizacin ,acumulacin</span>, agotamiento e inversin. Esta distribucin de carga se usa para obtener el valor de la capacitancia y su dependencia de la magnitud y la frecuencia de la pequea seal aplicada utilizando un enfoque fenomenolgico. Una verdadera estructura MOS siempre contiene las denominadas "cargas de xido" ubicadas en la mayor parte del xido</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-a9a7-1b66-d573-948ae827abd2"><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">o en la interfaz xido-silicio. Tambin se examina el impacto de estas cargas en el comportamiento de la estructura de MOS real y, en particular, en el voltaje de banda plana.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><u><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Dispositivo activo de estado slido.</span></u></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">El dispositivo conocido como transistor metal-oxide-semiconductor (MOS) es un dispositivo de estructura simple y su modo de operacin puede</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">ser fcilmente entendido, al menos en el nivel cualitativo.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">La estructura de un transistor MOS tpico se ilustra en la figura.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">El dispositivo</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">est hecho sobre un sustrato de un semiconductor, como el silicio. Cuando estudiamos las propiedades elctricas de los semiconductores,</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">estos materiales se distinguen por la propiedad de que</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><br style=""> <!--[if !supportLineBreakNewLine]--><br style=""> <!--[endif]--><o:p></o:p></span></p> <!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg-----------------------------------------------------------------------------------------> <p style="text-align: center;" align="center"><span style="" lang="ES-TRAD"><img id="_x0000_i1030" src="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/3.png" alt="http://82.166.171.228:8080/publicaciones1/ingenieria%201/ccd/3.png" height="811" width="790"></span><o:p></o:p></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-a9aa-0a6b-66f1-164a1c3ae93f"><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES"><!----------------------------------------------------------------------dibujo.jpg----------------------------------------------------------------------------------------->la conductividad puede variar en rangos extremadamente amplios controlando</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">precisamente la composicin qumica del material. La conduccin elctrica en</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">cualquier sustancia es, por supuesto, una consecuencia del movimiento ordenado de las cargas realizada por partculas, como los electrones, llamadas portadores de carga. Resulta que la concentracin o densidad de volumen de los portadores de carga en un semiconductor</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p id="docs-internal-guid-5abd2cba-a9aa-8100-fff9-3cb37d66c8ee"><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">puede variarse controlando el contenido de impurezas, es decir, las concentraciones</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style="margin-bottom: 12pt;"><span style="" lang="ES"><br> <br> <br> <br style=""> <!--[if !supportLineBreakNewLine]--><br style=""> <!--[endif]--><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">de ciertas trazas de impurezas. El <b>sustrato</b> semiconductor utilizado en el MOS</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">que describimos se elige y procesa de modo que tiene muy pocos</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">electrones disponibles como portadores de carga. Por lo tanto, es un mal conductor de electricidad y se comporta casi como un aislante.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style="margin-bottom: 12pt;"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Las dos regiones semiconductoras indicadas en la figura como fuente y</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">drenaje difiere del sustrato en que la concentracin de electrones en estos</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">las regiones son grandes, muchos rdenes de magnitud ms grandes que en el sustrato</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Tales regiones, caracterizadas por</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">propiedades bastante diferentes de las del sustrato, se pueden hacer por el</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">introduccin selectiva de impurezas en estas regiones.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">La porcin del sustrato que se encuentra entre las regiones de origen y drenaje</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">se llama <span class="GramE"><b>canal </b>.</span> Las <span class="SpellE">razon</span> de este nombre, as como las descripciones</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">"Fuente" y "drenaje" se aclararn cuando describamos el funcionamiento de</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">el dispositivo. La regin del canal est cubierta con una fina capa de aislamiento</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">material, que generalmente es un xido Se deposita una fina capa de pelcula de metal, generalmente por evaporacin de un metal en el vaco, en la parte superior de la capa de <span class="SpellE">xidoque</span> cubre el <span class="GramE">canal .</span></span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Este electrodo de metal se llama compuerta. Adems se <span class="GramE">deposita &nbsp;pelculas</span> de metal</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">sobre la fuente y la <span class="SpellE">region</span> de drenaje con el fin de</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">hacer contacto elctrico a estas regiones. Los alambres estn unidos a los tres</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">pelculas de metal y se utilizan para conectar el dispositivo en un circuito. Porque <span class="SpellE">haytres</span> terminales, este dispositivo se llama triodo.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style="margin-bottom: 12pt;"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">Las pelculas metlicas y aislantes tienen espesores que van desde varios</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">cientos de angstroms a unos pocos micrones. El espacio entre la fuente y</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">las regiones de drenaje generalmente estn en el rango de 10 a 20 micrones, y la longitud de estas</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">los electrodos pueden ser de aproximadamente 103 <span class="GramE">micrones ,es</span> decir, aproximadamente 0.1 milmetros. Por lo tanto, el dispositivo es</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p><i><span style="font-size: 14pt; font-family: &quot;Times New Roman&quot;,serif;" lang="ES">extremadamente pequeo y ocupa un rea de sustrato total de solo unos pocos milmetros cuadrados.</span></i><span style="" lang="ES"><o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style="margin-bottom: 12pt;"><span style="" lang="ES"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style="margin-bottom: 12pt;"><span class="SpellE"><span style="font-size: 14pt;">Referencias</span></span><span style="font-size: 14pt;">.<o:p></o:p></span></p> <p class="MsoNormal" style="margin-bottom: 12pt;"><span style="font-size: 14pt;">[1] <a href="https://www.youtube.com/watch?v=iEub5U9UeX8">Bubble Generation, a film about memory from 1979. YouTube</a><o:p></o:p></span></p> <p class="c4"><o:p>&nbsp;</o:p></p> <p class="c4">Eduardo <span class="SpellE">Ghersman</span>, 6.11.2017 <br style=""> <!--[if !supportLineBreakNewLine]--><br style=""> <!--[endif]--><span id="docs-internal-guid-5abd2cba-91cd-acaf-3ddb-2c5419839856"></span></p> <span id="docs-internal-guid-5abd2cba-91cd-11db-0982-97a6f6629ea3"></span> <p class="MsoNormal"> <script type="text/javascript"> <!-- google_ad_client = "ca-pub-0152754276417176"; /* stam */ google_ad_slot = "8229011377"; google_ad_width = 728; google_ad_height = 90; //--> </script> <script type="text/javascript" src="http://pagead2.googlesyndication.com/pagead/show_ads.js"> </script><span style=""><o:p>&nbsp;</o:p></span></p> </div> </body></html>